Dr. Christian Giese

Angestellt, Wissenschaftlicher Mitarbeiter, Fraunhofer Institut für angewandte Festkörperphysik

Freiburg, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Atomphysik
Optik
Lasertechnologie
Optomechanik
Quantenphysik
Halbleitertechnologie
Optische Technologien
Optische Messtechnik
Projektmanagement
Lithographie
Holografie
Spektroskopie
Elektronenstrahllithographie
Laserlithographie
Quantenoptik
Interferometrie
Forschung
MatLab
Wissenschaft
Laser
Schnittstelle
Forschung und Entwicklung

Werdegang

Berufserfahrung von Christian Giese

  • Bis heute 11 Jahre, seit Juli 2013

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Fraunhofer Institut für angewandte Festkörperphysik

    Ich arbeite an der Schnittstelle zwischen Forschung und Halbleitertechnologie. Hier betreibe ich sowohl technologische Prozessentwicklung als auch Projektarbeit im Bereich der diamantbasierten Chip- und Sensortechnologie.

  • 1 Jahr und 4 Monate, Feb. 2012 - Mai 2013

    wissenschaftlicher Angestellter

    Ferchau Engineering GmbH

    Ich bin im Auftrag von Ferchau Engineering im Einsatz bei Carl-Zeiss SMT in Oberkochen. Dort bin ich tätig in der Komponentenmesstechnik für die Litograhieoptik. Hier entwickle ich hochgenaue, interferometrische Messmethoden für optische Komponenten.

  • 5 Jahre und 1 Monat, Feb. 2007 - Feb. 2012

    PhD

    Physikalisches Institut Freiburg

    In meiner Position als Doktorand habe ich an ultrakalten (magneto-optische Fallen) und kalten Atomen bzw. Molekülen geforscht. Ich habe während meiner Tätigkeit vertiefte Kenntnisse in Lasertechnik (Halbleiterlaser, Gaslaser, cw und modengekoppelte Festkörperlaser), Optomechanik, optischen Messmethoden und Spektroskopie gewonnen. Ich habe physikalische Experimente von der Planung bis zur wissenschaftlichen Publikation selbstständig durchgeführt und die Ergebnisse auf internationalen Tagungen präsentiert.

  • 2 Jahre und 11 Monate, Jan. 2004 - Nov. 2006

    Wissenschaftliche Hilfskraft

    M2k Laser

    Während meiner Tätigkeit war ich zuständig für die Charackterisierung von Hochleistungslaserdioden. Diese umfasste die Aufnahme von Leistungs- und Spannungskennlinien sowie die Vermessung der m^2-Werte der Laser sowie der Nah- und Fernfelder.

  • 1 Jahr und 5 Monate, März 2001 - Juli 2002

    Wissenschaftliche Hilfskraft

    Fraunhofer Insititut für angewandte Festkörperphysik (IAF)

    Meine Aufgaben bestanden in der Vermessung von leistungsstarken Halbleiterdiodenlasern. Darunter fielen die Aufnahme von Leistungs- und Spannungskennlinien sowie die Bestimmung der Strahlqualität (m^2 und Fernfeldmessungen). Untersucht wurden sowohl Breitstreifen als auch Trapezlaser.

Ausbildung von Christian Giese

  • 5 Jahre und 1 Monat, Feb. 2007 - Feb. 2012

    Physik

    Albert-Ludwigs-Universtität

    Ultrakurz-Spektroskopie, Pump-Probe Wellenpaketspektroskopie, Femtosekundenlaser, Molekülphysik, Vakuumtechnik, Optomechanik, Lasertechnik.

  • 11 Monate, Aug. 2002 - Juni 2003

    Physik

    Université de Québec à Trois Rivières

    Auslandssemester im Rahmen der Baden-Württemberg Stiftung

  • 6 Jahre und 1 Monat, Okt. 2000 - Okt. 2006

    Physik

    Albert-Ludwigs Universität Freiburg

    Atomphysik, Quantenoptik, Astrophysik

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Fließend

  • Spanisch

    Grundlagen

Interessen

Musik
Surfen
Jogging

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